Q1. 請問您的居住地區(qū)是？（單選題）

Q2. 您的職位？（單選題）

Q3. 專利授權(quán)應當具備的三性是指（? ?）。（單選題）

• 新穎性 創(chuàng)造性 實用性

• 新穎性 創(chuàng)造性 價值性

Q4. 專利挖掘的目標是從（? ?）角度確定用以申請專利的技術(shù)創(chuàng)新點和技術(shù)方案。（單選題）

• 最方便交底書撰寫

• 最合理權(quán)利保護

Q5. 基于內(nèi)外部環(huán)境與知識產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略，目前硅片方向?qū)＠诰虻闹饕獙ο笫牵? ?）。（單選題）

• 研發(fā)項目與技術(shù)創(chuàng)新成果

• 針對競爭產(chǎn)品或技術(shù)的規(guī)避設計

Q6. 專利檢索時，單晶硅切片領(lǐng)域常用的IPC分類號檢索詞是（? ?）。（單選題）

• C30B%

• B28D%

Q7. 一項技術(shù)只要沒檢索到相關(guān)專利或其他文獻（假設不存在漏檢）、也沒有任何人使用公開，就可以認定該技術(shù)不屬于現(xiàn)有技術(shù)。這種說法（? ?）。（單選題）

• 正確

• 錯誤

Q8. 技術(shù)方案對外申請專利之后，相關(guān)發(fā)明人是否需要參與該專利的審查意見答復流程？（單選題）

• 是

• 否

Q9. 目前公司的專利申請文件撰寫由（? ?）執(zhí)行。（單選題）

• 外部代理機構(gòu)

• 知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)人員

Q10. 將技術(shù)成果對外申請專利，發(fā)明人需要在IPMS系統(tǒng)上發(fā)起哪些流程？（單選題）

• 提案流程與專利申請流程

• 僅提案流程即可

Q11. 發(fā)明專利在授權(quán)前需要經(jīng)歷初步審查和實質(zhì)審查，實用新型專利需要經(jīng)歷（? ?）。（單選題）

• 實質(zhì)審查即可

• 初步審查即可

Q12. 技術(shù)交底書，必不可少的組成部分是：（單選題）

• 現(xiàn)有技術(shù)的問題；本發(fā)明內(nèi)容；本發(fā)明解決的技術(shù)問題與有益效果。

• 現(xiàn)有技術(shù)的問題；本發(fā)明內(nèi)容；本發(fā)明解決的技術(shù)問題與有益效果；本發(fā)明的可替代方案。

Q13. 圖檔應當放在交底書的那個部分？（單選題）

• 6.附圖說明

• 13.說明書附圖

Q14. 渲染圖等（? ?）用于交底書，（? ?）用于專利申請文件。（單選題）

• 可以 不可以

• 可以 可以

Q15. 專利法規(guī)定實用新型只保護產(chǎn)品，那么針對一項結(jié)構(gòu)類專利，只能申請實用新型。（單選題）

• 對

• 錯

Q16. 技術(shù)交底書中，全文對同一事物的叫法應統(tǒng)一，避免出現(xiàn)一種事物多種叫法。（單選題）

• 錯

• 對

Q17. 專利法規(guī)定一件發(fā)明創(chuàng)造只能授予一項專利權(quán)，所以對同一件技術(shù)方案只能申請一件專利。（單選題）

• 對

• 錯

Q18. 當申請的多件專利發(fā)明點相關(guān)聯(lián)時，為了避免該多件專利相互影響授權(quán)前景，應盡量同日遞交該多件專利。（單選題）

• 對

• 錯

Q19. 技術(shù)交底書要使代理人能看懂，尤其是背景技術(shù)和詳細技術(shù)方案，一定要寫得全面、清楚。（單選題）

• 對

• 錯

Q20. 專利必須是一個技術(shù)方案，應該闡述發(fā)明目的是通過什么技術(shù)方案來實現(xiàn)的，不能只有原理，也不能只做功能或效果介紹（單選題）

• 錯

• 對

Q21. 交底書的撰寫質(zhì)量將接影響代理人對技術(shù)的理解，影響后續(xù)溝通所消耗的時間和精力，影響專利申請文件的撰寫質(zhì)量。（單選題）

• 錯

• 對

Q22. 在提案審批及專利申請文件確認的過程，都應考慮將其中的核心關(guān)鍵技術(shù)進行適當保密。（單選題）

• 對

• 錯

Q23. 聯(lián)系方式（填空題）